מספר מוצר של יצרן:
FDP045N10A-F032
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDP045N10A-F032-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12972969
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDP045N10A-F032 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
74 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5270 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
263W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מידע נוסף
שמות אחרים
488-FDP045N10A-F032
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDP4D5N10C
יצרן
onsemi
כמות זמינה
670
DiGi מספר חלק
FDP4D5N10C-DG
מחיר ליחידה
2.68
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PSMN2R0-60ES,127
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
PJS6404_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJS6407_S1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
