FDP4D5N10C
מספר מוצר של יצרן:

FDP4D5N10C

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDP4D5N10C-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220-3

מלאי:

670 יחידות חדשות מק originales במלאי
12849888
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDP4D5N10C מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
128A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 310µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5065 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.4W (Ta), 150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FDP4D5

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-FDP4D5N10C-488
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
alpha-and-omega-semiconductor

AOB2918L

MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263

onsemi

FQAF16N50

MOSFET N-CH 500V 11.3A TO3PF

onsemi

BUZ11_R4941

MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3

onsemi

FDFMA2N028Z

MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET