מספר מוצר של יצרן:
FDN337N-F169
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDN337N-F169-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
מלאי:
12926746
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDN337N-F169 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
300 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
FDN337
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
JANTX2N6788
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
NTMS4807NR2G
MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC
FQB630TM
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
