מספר מוצר של יצרן:
JANTX2N6788
Product Overview
יצרן:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
JANTX2N6788-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39
מלאי:
12926755
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
JANTX2N6788 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
350mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
800mW (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Military
ההסמכה
MIL-PRF-19500/555
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-39
חבילה / מארז
TO-205AF Metal Can
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
JANTX2N6788-DG
JANTX2N6788-MIL
150-JANTX2N6788
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTMS4807NR2G
MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC
FQB630TM
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
HUF76609D3S
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
