FDMS8820

מספר מוצר של יצרן:

FDMS8820

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMS8820-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 28A (Ta), 116A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

מלאי:

10003 יחידות חדשות מק originales במלאי

12850789

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMS8820 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

28A (Ta), 116A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

88 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

5315 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta), 78W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-PQFN (5x6)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

מספר מוצר בסיסי

FDMS88

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDMS8820-DG

FDMS8820DKR

FDMS8820CT

FDMS8820TR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDB8896

MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB

onsemi

FDMC86184

MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN

onsemi

FCP125N65S3

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6204

MOSFET N-CH 30V 14A/24A 8DFN