מספר מוצר של יצרן:
FCP125N65S3
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCP125N65S3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12850795
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCP125N65S3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SuperFET® III
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 2.4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
46 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1940 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
181W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FCP125
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
488-FCP125N65S3DKR
488-FCP125N65S3CT
FCP125N65S3-DG
488-FCP125N65S3DKR-DG
488-FCP125N65S3TR
488-FCP125N65S3DKRINACTIVE
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPP60R099C7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPP60R099C7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.11
סוג משאב
Similar
מספר חלק
AOT42S60L
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
16990
DiGi מספר חלק
AOT42S60L-DG
מחיר ליחידה
2.63
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFP34N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFP34N65X2-DG
מחיר ליחידה
3.29
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP34NM60ND
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
969
DiGi מספר חלק
STP34NM60ND-DG
מחיר ליחידה
5.81
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AON6204
MOSFET N-CH 30V 14A/24A 8DFN
HUFA75637S3S
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
FDP032N08-F102
MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220