מספר מוצר של יצרן:
FDMS86350
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMS86350-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 25A (Ta), 130A (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
מלאי:
22423 יחידות חדשות מק originales במלאי
12850378
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMS86350 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Ta), 130A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
155 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10680 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.7W (Ta), 156W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
FDMS86
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDMS86350-488
FDMS86350CT
FDMS86350TR
FDMS86350DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFS750A
MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F
FCD4N60TM
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
FQPF13N10
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
