מספר מוצר של יצרן:
FCD4N60TM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCD4N60TM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
10613 יחידות חדשות מק originales במלאי
12850381
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCD4N60TM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SuperFET™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
540 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FCD4N60
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FCD4N60TMTR
FCD4N60TMCT
FCD4N60TMDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK6P65W,RQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
58
DiGi מספר חלק
TK6P65W,RQ-DG
מחיר ליחידה
0.47
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STD7N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
14171
DiGi מספר חלק
STD7N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.50
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STD6N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STD6N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.50
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPD80R1K0CEATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2125
DiGi מספר חלק
IPD80R1K0CEATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.58
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQPF13N10
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
IPP80N06S4L05AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
FQPF20N06
MOSFET N-CH 60V 15A TO220F
