FDMS86200

מספר מוצר של יצרן:

FDMS86200

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMS86200-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

תיאור מפורט:

N-Channel 150 V 9.6A (Ta), 35A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

מלאי:

21294 יחידות חדשות מק originales במלאי

12847284

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMS86200 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

150 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

9.6A (Ta), 35A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

18mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

46 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2715 pF @ 75 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-PQFN (5x6)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

מספר מוצר בסיסי

FDMS86

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

2156-FDMS86200-488

FDMS86200DKR

2832-FDMS86200-488

FDMS86200TR

FDMS86200CT

2832-FDMS86200TR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NVMFS5A140PLZWFT1G

MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN

FDC655BN

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

onsemi

FDD18N20LZ

MOSFET N-CH 200V 16A DPAK

onsemi

FDR4420A

MOSFET N-CH 30V 11A SUPERSOT8