מספר מוצר של יצרן:
FDD18N20LZ
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD18N20LZ-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 16A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
24518 יחידות חדשות מק originales במלאי
12847305
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD18N20LZ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
UniFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1575 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FDD18N20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDD18N20LZDKR
FDD18N20LZ-DG
FDD18N20LZTR
FDD18N20LZCT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDR4420A
MOSFET N-CH 30V 11A SUPERSOT8
BSZ042N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
BTS113AE3045ANTMA1
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
