מספר מוצר של יצרן:
FDMS4D0N12C
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMS4D0N12C-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
תיאור מפורט:
N-Channel 120 V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
מלאי:
4063 יחידות חדשות מק originales במלאי
12847102
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMS4D0N12C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
120 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18.5A (Ta), 114A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 370A
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
82 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6460 pF @ 60 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.7W (Ta), 106W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
FDMS4
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDMS4D0N12COSDKR
FDMS4D0N12C-DG
FDMS4D0N12COSTR
FDMS4D0N12COSCT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HUFA75339S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
AON2407
MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
NTD4858N-35G
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
