מספר מוצר של יצרן:
FCPF4300N80Z
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCPF4300N80Z-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 1.6A (Tc) 19.2W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
993 יחידות חדשות מק originales במלאי
12847111
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCPF4300N80Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
SuperFET® II
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.3Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 160µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
355 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
19.2W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
FCPF4300
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2832-FCPF4300N80Z
2832-FCPF4300N80Z-488
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
R8002KNXC7G
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
948
DiGi מספר חלק
R8002KNXC7G-DG
מחיר ליחידה
0.78
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSB165N15NZ3GXUMA1
MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
FDC3512_F095
MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6
FDMS9410-F085
MOSFET N-CH 40V 50A POWER56
