מספר מוצר של יצרן:
R8002KNXC7G
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R8002KNXC7G-DG
תיאור:
800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 1.6A (Ta) 28W (Tc) Through Hole TO-220FM
מלאי:
948 יחידות חדשות מק originales במלאי
12996693
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R8002KNXC7G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
140 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FM
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
R8002
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-R8002KNXC7GCT
846-R8002KNXC7GDKR
846-R8002KNXC7GDKR-DG
846-R8002KNXC7G
846-R8002KNXC7GCT-DG
846-R8002KNXC7GTR-DG
846-R8002KNXC7GTR
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SISS5110DN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
PSMN070-200P,127
NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
SCT2450KEGC11
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
