מספר מוצר של יצרן:
FDMQ8403
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMQ8403-DG
תיאור:
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 3.1A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
מלאי:
15891 יחידות חדשות מק originales במלאי
12849764
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMQ8403 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
GreenBridge™ PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
4 N-Channel (Full Bridge)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.1A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
110mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
215pF @ 15V
הספק - מקס'
1.9W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
12-WDFN Exposed Pad
חבילת מכשירים לספקים
12-MLP (5x4.5)
מספר מוצר בסיסי
FDMQ84
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDMQ8403TR
FDMQ8403CT
2156-FDMQ8403-488
FDMQ8403DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDS9958
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
AO6601_001
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A 6TSOP
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC