מספר מוצר של יצרן:
FDS9958
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS9958-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12849778
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS9958 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.9A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
105mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1020pF @ 30V
הספק - מקס'
900mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
FDS99
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDS9958CT
FDS9958DKR
2832-FDS9958
FDS9958TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AO6601_001
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A 6TSOP
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
HUFA76404DK8T
MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8SOIC
