FDMC8878_F126

מספר מוצר של יצרן:

FDMC8878_F126

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMC8878_F126-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12847808

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMC8878_F126 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

9.6A (Ta), 16.5A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

14mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

26 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1230 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.1W (Ta), 31W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-MLP (3.3x3.3)

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

מספר מוצר בסיסי

FDMC88

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

FDMC8878 Datasheet

מידע נוסף

שמות אחרים

FDMC8878_F126CT

FDMC8878_F126DKR

FDMC8878_F126TR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

FDMC8878

יצרן

onsemi

כמות זמינה

6381

DiGi מספר חלק

FDMC8878-DG

מחיר ליחידה

0.46

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTB85N03

MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK

onsemi

FQD6P25TF

MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

onsemi

FDB8444-F085

MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB

onsemi

FQA11N90C-F109

MOSFET N-CH 900V 11A TO3P