מספר מוצר של יצרן:
FQA11N90C-F109
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQA11N90C-F109-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
מלאי:
12847816
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQA11N90C-F109 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3290 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FQA11
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FQA11N90CF109
2156-FQA11N90C-F109-OS
FQA11N90C_F109-DG
ONSFSCFQA11N90C-F109
FQA11N90C_F109
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDPF14N30
MOSFET N-CH 300V 14A TO220F
NVMFS5C680NLT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
FQPF10N60CT
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
