מספר מוצר של יצרן:
FDMC86160ET100
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMC86160ET100-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 43A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33
מלאי:
9913 יחידות חדשות מק originales במלאי
12846304
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMC86160ET100 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Ta), 43A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
14mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1290 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 65W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
Power33
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
מספר מוצר בסיסי
FDMC86160
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
FDMC86160ET100CT
FDMC86160ET100TR
FDMC86160ET100DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDN5632N-F085
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
BSZ023N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
AOB11S65L
MOSFET N-CH 650V 11A TO263
