מספר מוצר של יצרן:
BSZ023N04LSATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSZ023N04LSATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
מלאי:
12846306
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSZ023N04LSATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22A (Ta), 40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
37 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2630 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSDSON-8-FL
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSZ023N04LS-DG
BSZ023N04LSATMA1CT
BSZ023N04LSCT
BSZ023N04LSATMA1DKR
BSZ023N04LSATMA1TR
BSZ023N04LSTR
BSZ023N04LSTR-DG
BSZ023N04LSDKR-DG
BSZ023N04LSDKR
BSZ023N04LS
SP000953208
BSZ023N04LSCT-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMC8321LDC
יצרן
onsemi
כמות זמינה
5561
DiGi מספר חלק
FDMC8321LDC-DG
מחיר ליחידה
0.87
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDMS8333L
יצרן
onsemi
כמות זמינה
2597
DiGi מספר חלק
FDMS8333L-DG
מחיר ליחידה
0.48
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
