FDMA86108LZ

מספר מוצר של יצרן:

FDMA86108LZ

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMA86108LZ-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12846923

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMA86108LZ מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

2.2A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

243mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

3 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

163 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.4W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

6-MicroFET (2x2)

חבילה / מארז

6-WDFN Exposed Pad

מספר מוצר בסיסי

FDMA86108

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDMA86108LZDKR

FDMA86108LZCT

FDMA86108LZTR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDP8D5N10C

MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3

onsemi

FQP47P06_SW82049

MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3

onsemi

HUFA76409P3

MOSFET N-CH 60V 18A TO220-3

onsemi

FCPF11N65

MOSFET N-CH 650V 11A TO220F