מספר מוצר של יצרן:
FCPF11N65
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCPF11N65-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
12846929
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCPF11N65 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
SuperFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
52 nC @ 10 V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1490 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
36W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
FCPF11
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF13N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1413
DiGi מספר חלק
STF13N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.67
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STF16N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1000
DiGi מספר חלק
STF16N65M2-DG
מחיר ליחידה
0.84
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STF13N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
305
DiGi מספר חלק
STF13N60DM2-DG
מחיר ליחידה
0.77
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFP12N65X2M
יצרן
IXYS
כמות זמינה
295
DiGi מספר חלק
IXFP12N65X2M-DG
מחיר ליחידה
1.80
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPA60R380E6XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
498
DiGi מספר חלק
IPA60R380E6XKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.84
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOW10N65
MOSFET N-CH 650V 10A TO262
HUFA75639P3
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
AON2410
MOSFET N CH 30V 8A DFN 2X2B
