מספר מוצר של יצרן:
FDG6306P
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDG6306P-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
מלאי:
30 יחידות חדשות מק originales במלאי
12847995
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDG6306P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
600mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
114pF @ 10V
הספק - מקס'
300mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SC-88 (SC-70-6)
מספר מוצר בסיסי
FDG6306
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FDG6306P-DG
ONSONSFDG6306P
FDG6306PTR
FDG6306PCT
FDG6306PDKR
2156-FDG6306P-OS
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTJD4152PT1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
15411
DiGi מספר חלק
NTJD4152PT1G-DG
מחיר ליחידה
0.10
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMFD5877NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
FDMD86100
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
FDC6561AN
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
