מספר מוצר של יצרן:

FDC6561AN

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDC6561AN-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

תיאור מפורט:

Mosfet Array 30V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

מלאי:

15661 יחידות חדשות מק originales במלאי

12848019

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDC6561AN מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

2.5A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

95mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

3.2nC @ 5V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

220pF @ 15V

הספק - מקס'

700mW

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

חבילת מכשירים לספקים

SuperSOT™-6

מספר מוצר בסיסי

FDC6561

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDC6561ANDKR

2832-FDC6561AN

FDC6561ANCT

FDC6561ANTR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDMA6023PZT

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET

alpha-and-omega-semiconductor

AO7600_001

MOSFET N/P-CH 20V 0.9A SC70-6

alpha-and-omega-semiconductor

AON7932_101

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN

infineon-technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE