מספר מוצר של יצרן:
FDD8778
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD8778-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
12847328
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD8778 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
14mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
845 pF @ 13 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
39W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FDD877
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
FDD8778CT
FDD8778TR
FDD8778DKR
2156-FDD8778-OS
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD135N03LGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
31780
DiGi מספר חלק
IPD135N03LGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.26
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSD314SPEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
AOD4128
MOSFET N-CH 25V 60A TO252
FQD10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
