מספר מוצר של יצרן:
FQD10N20LTM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQD10N20LTM-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Surface Mount DPAK
מלאי:
12847334
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQD10N20LTM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
830 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FQD10N20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FQD10N20LTMTR
FQD10N20LTMDKR
FQD10N20LTM-DG
FQD10N20LTMCT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FQD12N20LTM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
4955
DiGi מספר חלק
FQD12N20LTM-DG
מחיר ליחידה
0.27
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STD5N20LT4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
20061
DiGi מספר חלק
STD5N20LT4-DG
מחיר ליחידה
0.37
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQPF9N25C
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
AOT66616L
MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220
FQU20N06LTU
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
