FDD6680A
מספר מוצר של יצרן:

FDD6680A

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDD6680A-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA

מלאי:

12850312
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDD6680A מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Ta), 56A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1425 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
FDD668

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
FDD8880
יצרן
onsemi
כמות זמינה
13967
DiGi מספר חלק
FDD8880-DG
מחיר ליחידה
0.27
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

FDU8874

MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK

onsemi

FQPF13N06

MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F

onsemi

FDB4020P

MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB

onsemi

FQB27P06TM

MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK