FDU8874

מספר מוצר של יצרן:

FDU8874

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDU8874-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 18A/116A IPAK

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 18A (Ta), 116A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-PAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12850313

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDU8874 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

-

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

18A (Ta), 116A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

5.1mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

72 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2990 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

110W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

I-PAK

חבילה / מארז

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

מספר מוצר בסיסי

FDU88

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

1,800

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FQPF13N06

MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F

onsemi

FDB4020P

MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB

onsemi

FQB27P06TM

MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK

onsemi

FDS7079ZN3

MOSFET P-CH 30V 16A 8SO