מספר מוצר של יצרן:
FDC6036P
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDC6036P-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 5A 900mW Surface Mount SuperSOT™-6
מלאי:
12837031
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDC6036P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
44mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
992pF @ 10V
הספק - מקס'
900mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
חבילת מכשירים לספקים
SuperSOT™-6
מספר מוצר בסיסי
FDC6036
מידע נוסף
שמות אחרים
FDC6036P_NLCT
FDC6036P_NLTR-DG
FDC6036PTR-NDR
FDC6036P_NLCT-DG
FDC6036PDKR
FDC6036P_NL
FDC6036PCT-NDR
FDC6036P_NLTR
FDC6036PCT
FDC6036PTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTHD4102PT1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
NTHD4102PT1G-DG
מחיר ליחידה
0.34
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EFC4618R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP1818
FDMS3606S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
ECH8660-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH
