FDG6322C

מספר מוצר של יצרן:

FDG6322C

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDG6322C-DG

תיאור:

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88

תיאור מפורט:

Mosfet Array 25V 220mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

מלאי:

29094 יחידות חדשות מק originales במלאי

12837128

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDG6322C מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

N and P-Channel

תכונת FET

Logic Level Gate

ניקוז למתח מקור (Vdss)

25V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

220mA, 410mA

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

0.4nC @ 4.5V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

9.5pF @ 10V

הספק - מקס'

300mW

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

חבילת מכשירים לספקים

SC-88 (SC-70-6)

מספר מוצר בסיסי

FDG6322

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDG6322CCT

FDG6322CDKR

FDG6322CTR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDC6036P_F077

MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6

onsemi

FDS8934A

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

FW216A-TL-2WX

MOSFET

onsemi

FDS8928A

MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/4A 8SOIC