מספר מוצר של יצרן:
FDA62N28
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDA62N28-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
תיאור מפורט:
N-Channel 280 V 62A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
מלאי:
12847255
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDA62N28 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
UniFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
280 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
62A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
51mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
100 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4630 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PN
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FDA62
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTQ50N25T
יצרן
IXYS
כמות זמינה
242
DiGi מספר חלק
IXTQ50N25T-DG
מחיר ליחידה
3.10
סוג משאב
Similar
מספר חלק
2SK1317-E
יצרן
Renesas Electronics Corporation
כמות זמינה
5608
DiGi מספר חלק
2SK1317-E-DG
מחיר ליחידה
3.29
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDZ371PZ
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
HUF76429P3
MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK