בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
קונגו - קינשאסה
ארגנטינה
טורקיה
רומניה
ליטא
נורווגיה
אוסטריה
אנגולה
סלובקיה
לטלי
פינלנד
בלרוס
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
מונטנגרו
רוסית
בלגיה
שוודיה
סרביה ומונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
מולדובה
גרמניה
הולנד
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
צרפת
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
פורטוגל
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ספרד
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
FCP190N65S3R0
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCP190N65S3R0-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12837547
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCP190N65S3R0 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SuperFET® III
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.7mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1350 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
144W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FCP190
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
FCP190N65S3R0
גיליונות נתונים
FCP190N65S3R0
גיליון נתונים של HTML
FCP190N65S3R0-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
488-FCP190N65S3R0TR
488-FCP190N65S3R0CT
488-FCP190N65S3R0DKRINACTIVE
FCP190N65S3R0-DG
488-FCP190N65S3R0DKR-DG
488-FCP190N65S3R0DKR
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFP22N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFP22N65X2-DG
מחיר ליחידה
2.43
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP60R199CPXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
512
DiGi מספר חלק
IPP60R199CPXKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.75
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP65R190C7FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
499
DiGi מספר חלק
IPP65R190C7FKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.23
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP24N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
105
DiGi מספר חלק
STP24N60DM2-DG
מחיר ליחידה
1.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP60R170CFD7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
425
DiGi מספר חלק
IPP60R170CFD7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.31
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQP7N65C
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
FQB46N15TM_AM002
MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
FDWS9408-F085
MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
FQA22P10
MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN