מספר מוצר של יצרן:
IXFP22N65X2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFP22N65X2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12823248
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFP22N65X2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 1.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2310 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
390W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXFP22
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP25N60M2-EP
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1008
DiGi מספר חלק
STP25N60M2-EP-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP65R190C7FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
499
DiGi מספר חלק
IPP65R190C7FKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.23
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK20E60W,S1VX
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
35
DiGi מספר חלק
TK20E60W,S1VX-DG
מחיר ליחידה
2.29
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SPP20N65C3XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
462
DiGi מספר חלק
SPP20N65C3XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.78
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFS4228TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
IPP60R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
IXTT3N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
