מספר מוצר של יצרן:
FCP190N65F
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCP190N65F-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
1600 יחידות חדשות מק originales במלאי
12845181
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCP190N65F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
FRFET®, SuperFET® II
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 2mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
78 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3225 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
208W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FCP190
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FCP190N65F-OS
ONSONSFCP190N65F
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SIHP22N60E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHP22N60E-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.67
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP24N60DM2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
105
DiGi מספר חלק
STP24N60DM2-DG
מחיר ליחידה
1.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP26N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STP26N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.34
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP20N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
945
DiGi מספר חלק
STP20N65M5-DG
מחיר ליחידה
1.36
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOC2423
MOSFET P-CH 20V 2A 4ALPHADFN
NVMFS4C05NWFT3G
MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
AON6262E
MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
