מספר מוצר של יצרן:
FCP190N60
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCP190N60-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12850527
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCP190N60 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
SuperFET® II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
199mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
74 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2950 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
208W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FCP190
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSFCP190N60
2156-FCP190N60-OS
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP24N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
189
DiGi מספר חלק
STP24N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP65R190E6XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
580
DiGi מספר חלק
IPP65R190E6XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.52
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP25N60M2-EP
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1008
DiGi מספר חלק
STP25N60M2-EP-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP60R190C6XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4500
DiGi מספר חלק
IPP60R190C6XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.40
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXKC20N60C
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXKC20N60C-DG
מחיר ליחידה
9.07
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMS8660S
MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
AOB2910L
MOSFET N CH 100V 6A TO263
AON4421
MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
