מספר מוצר של יצרן:
FCA20N60
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FCA20N60-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-3PN
מלאי:
12846035
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCA20N60 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
SuperFET™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
98 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3080 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
208W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3PN
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
FCA20
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2832-FCA20N60-488
FCA20N60_NL
FCA20N60_NL-DG
2832-FCA20N60
FCA20N60-NDR
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCA20N60-F109
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FCA20N60-F109-DG
מחיר ליחידה
3.52
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
FCA22N60N
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
545
DiGi מספר חלק
FCA22N60N-DG
מחיר ליחידה
4.38
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STW24N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
562
DiGi מספר חלק
STW24N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.39
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFQ50N60P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFQ50N60P3-DG
מחיר ליחידה
5.29
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6024KNZ1C9
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
3
DiGi מספר חלק
R6024KNZ1C9-DG
מחיר ליחידה
3.03
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCPF11N60F
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
AON7566
MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN
AOT20C60L
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
