FDP085N10A-F102
מספר מוצר של יצרן:

FDP085N10A-F102

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDP085N10A-F102-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 96A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3

מלאי:

798 יחידות חדשות מק originales במלאי
12846047
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDP085N10A-F102 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
Tube
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
96A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.5mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2695 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
188W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
FDP085

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
ONSONSFDP085N10A-F102
FDP085N10A_F102
2156-FDP085N10A-F102-OS
FDP085N10A_F102-DG
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
alpha-and-omega-semiconductor

AOD4158

MOSFET N-CH 30V 17A TO252

onsemi

FQU13N10LTU

MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

infineon-technologies

BSS138N-E6327

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF11C60PL

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F