מספר מוצר של יצרן:
ECH8663R-TL-H
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
ECH8663R-TL-H-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 8A 1.5W Surface Mount 8-ECH
מלאי:
12923872
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
ipmG
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ECH8663R-TL-H מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
20.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12.3nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
1.5W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
חבילת מכשירים לספקים
8-ECH
מספר מוצר בסיסי
ECH8663
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-ECH8663R-TL-H-OS
ECH8663R-TL-HOSCT
ECH8663R-TL-H-DG
ECH8663R-TL-HOSDKR
ECH8663R-TL-HOSTR
ONSONSECH8663R-TL-H
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EFC6601R-A-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
NVMD4N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
FDMA1023PZ-F106
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
