מספר מוצר של יצרן:
EFC6601R-A-TR
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
EFC6601R-A-TR-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
תיאור מפורט:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
מלאי:
12924223
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
EFC6601R-A-TR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual) Common Drain
תכונת FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
ניקוז למתח מקור (Vdss)
-
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
48nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-XFBGA, FCBGA
חבילת מכשירים לספקים
EFCP2718-6CE-020
מספר מוצר בסיסי
EFC6601
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-EFC6601R-A-TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMD4N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
FDMA1023PZ-F106
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
NTE2960
MOSFET 2N-CH 900V 7A TO220
