מספר מוצר של יצרן:
PHW80NQ10T,127
Product Overview
יצרן:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PHW80NQ10T,127-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 80A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-247
מלאי:
12822281
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PHW80NQ10T,127 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
NXP Semiconductors
אריזות
-
סדרה
TrenchMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
109 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4720 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
263W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
PHW80
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
PHW80NQ10T
PHW80NQ10T-DG
934055695127
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFP4310ZPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1902
DiGi מספר חלק
IRFP4310ZPBF-DG
מחיר ליחידה
2.10
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFH110N10P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH110N10P-DG
מחיר ליחידה
3.80
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTQ110N10P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTQ110N10P-DG
מחיר ליחידה
3.43
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTT140P10T
MOSFET P-CH 100V 140A TO268
IRF6614TRPBF
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
IXFC30N60P
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
