IXTQ110N10P
מספר מוצר של יצרן:

IXTQ110N10P

Product Overview

יצרן:

IXYS

DiGi Electronics מספר חלק:

IXTQ110N10P-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 110A TO3P
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת
12820717
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IXTQ110N10P מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
110A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3550 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
480W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מספר מוצר בסיסי
IXTQ110

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
IXTQ110N10P
גיליון נתונים של HTML
IXTQ110N10P-DG
גליונות נתונים
IXT(Q,T)110N10P Building, Home Automation Appl Guide

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
littelfuse

IXTP3N110

MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB

littelfuse

IXTA230N075T2-7

MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7

littelfuse

IXTA3N120HV

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

littelfuse

IXTA230N04T4

MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA