מספר מוצר של יצרן:
IXTP3N110
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP3N110-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 1100 V 3A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12820720
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP3N110 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP3
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFBG30PBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
4495
DiGi מספר חלק
IRFBG30PBF-DG
מחיר ליחידה
1.02
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP3NK90Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
361
DiGi מספר חלק
STP3NK90Z-DG
מחיר ליחידה
0.77
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTP2R4N120P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
14
DiGi מספר חלק
IXTP2R4N120P-DG
מחיר ליחידה
3.25
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA230N075T2-7
MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
IXTA3N120HV
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXTA230N04T4
MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
