מספר מוצר של יצרן:
APTM120U10DAG
Product Overview
יצרן:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
APTM120U10DAG-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1200V 160A SP6
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6
מלאי:
13252541
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APTM120U10DAG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
160A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
120mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 20mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
1100 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
28900 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3290W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SP6
חבילה / מארז
SP6
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
APTM120U10DAG-ND
150-APTM120U10DAG
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT20M19JVR
MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP
APT29F80J
MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP
APT75M50L
MOSFET N-CH 500V 75A TO264