APT29F80J
מספר מוצר של יצרן:

APT29F80J

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

APT29F80J-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 31A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת
13252614
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

APT29F80J מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
POWER MOS 8™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
31A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
210mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
303 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9326 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
543W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
ISOTOP®
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
APT29F80

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
APT29F80J High-Voltage Power Discretes and Modules

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
10

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
microchip-technology

APT75M50L

MOSFET N-CH 500V 75A TO264

microchip-technology

APT56F60L

MOSFET N-CH 600V 60A TO264

microsemi

APT5F100K

MOSFET N-CH 1000V 5A TO220

microchip-technology

APT40N60JCU2

MOSFET N-CH 600V 40A SOT227