מספר מוצר של יצרן:
APT35SM70B
Product Overview
יצרן:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
APT35SM70B-DG
תיאור:
SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
13253326
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APT35SM70B מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
145mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
67 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+25V, -10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1035 pF @ 700 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
176W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מידע נוסף
שמות אחרים
APT35SM70B-ND
150-APT35SM70B
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT10M07JVR
MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
APTML100U60R020T1AG
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
APT66M60B2
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
