מספר מוצר של יצרן:
APT66M60B2
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
APT66M60B2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
מלאי:
13253330
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APT66M60B2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
70A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
330 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13190 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1135W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
T-MAX™ [B2]
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
APT66M60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
APT66M60B2MI-ND
APT66M60B2MI
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
R6046FNZ1C9
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
278
DiGi מספר חלק
R6046FNZ1C9-DG
מחיר ליחידה
7.52
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPW60R099CPFKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
228
DiGi מספר חלק
IPW60R099CPFKSA1-DG
מחיר ליחידה
4.37
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPW60R075CPFKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
240
DiGi מספר חלק
IPW60R075CPFKSA1-DG
מחיר ליחידה
6.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FCH104N60F-F085
יצרן
onsemi
כמות זמינה
86
DiGi מספר חלק
FCH104N60F-F085-DG
מחיר ליחידה
3.01
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT20M22LVFRG
MOSFET N-CH 200V 100A TO264
APT66M60L
MOSFET N-CH 600V 70A TO264
APT77N60JC3
MOSFET N-CH 600V 77A ISOTOP
