APT12067B2LLG
מספר מוצר של יצרן:

APT12067B2LLG

Product Overview

יצרן:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

APT12067B2LLG-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 18A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

מלאי:

13246322
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

APT12067B2LLG מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
POWER MOS 7®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
670mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 2.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
150 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4420 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
565W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
T-MAX™ [B2]
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
APT12067

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
APT12067B2LLG-ND
150-APT12067B2LLG
חבילה סטנדרטית
1

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
microsemi

2N7225U

MOSFET N-CH 200V 27.4A TO267AB

microchip-technology

APT30N60BC6

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

microchip-technology

APT18M100B

MOSFET N-CH 1000V 18A TO247

microsemi

APTC90DAM60CT1G

MOSFET N-CH 900V 59A SP1