APT18M100B
מספר מוצר של יצרן:

APT18M100B

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

APT18M100B-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 1000V 18A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 18A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

מלאי:

27 יחידות חדשות מק originales במלאי
13246759
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

APT18M100B מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
700mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
150 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4845 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
625W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247 [B]
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
APT18M100

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
APT18M100(B,S) High-Voltage Power Discretes and Modules

מידע נוסף

שמות אחרים
APT18M100BMI
APT18M100BMI-ND
חבילה סטנדרטית
30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
microsemi

APTC90DAM60CT1G

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

microchip-technology

APT10078BLLG

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247

microsemi

APT12067JLL

MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227

microchip-technology

APT8030JVFR

MOSFET N-CH 800V 25A ISOTOP