2N6788

מספר מוצר של יצרן:

2N6788

Product Overview

יצרן:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

2N6788-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 6A TO39

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

13257258

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

2N6788 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Microsemi

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

6A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

300mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

18 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

800mW (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-39

חבילה / מארז

TO-205AF Metal Can

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

2N6788-ND

150-2N6788

חבילה סטנדרטית

1

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

microsemi

APT58M50JCU3

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

microsemi

APT94N65B2C3G

MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX

microsemi

APT6M100K

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220

microchip-technology

APT8065SVRG

MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK