מספר מוצר של יצרן:
APT94N65B2C3G
Product Overview
יצרן:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
APT94N65B2C3G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 94A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
מלאי:
13257339
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
APT94N65B2C3G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microsemi
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
94A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
35mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 5.8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
580 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13940 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
833W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
T-MAX™ [B2]
חבילה / מארז
TO-247-3 Variant
מספר מוצר בסיסי
APT94N65
מידע נוסף
שמות אחרים
150-APT94N65B2C3G
APT94N65B2C3G-ND
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
APT6M100K
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
APT8065SVRG
MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK
APTM10DAM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
