מספר מוצר של יצרן:
MSC080SMA120SA
Product Overview
יצרן:
Microchip Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
MSC080SMA120SA-DG
תיאור:
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Surface Mount TO-263-7
מלאי:
12975474
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MSC080SMA120SA מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.8V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
64 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+23V, -10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
838 pF @ 1000 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
182W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263-7
חבילה / מארז
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
מספר מוצר בסיסי
MSC080
מידע נוסף
שמות אחרים
150-MSC080SMA120SA
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PMPB45EPAX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN
MCQ12N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOP-8
ISC010N06NM5ATMA1
OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU